AgGaSe2 ಹರಳುಗಳು - 0.73 ಮತ್ತು 18 µm ನಲ್ಲಿ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂಚುಗಳು
ಉತ್ಪನ್ನ ವಿವರಣೆ
2.05 µm ನಲ್ಲಿ Ho:YLF ಲೇಸರ್ ಮೂಲಕ ಪಂಪ್ ಮಾಡುವಾಗ 2.5–12 µm ಒಳಗೆ ಟ್ಯೂನಿಂಗ್ ಪಡೆಯಲಾಗಿದೆ;ಹಾಗೆಯೇ 1.4–1.55 µm ನಲ್ಲಿ ಪಂಪ್ ಮಾಡುವಾಗ 1.9–5.5 µm ಒಳಗೆ ನಾನ್ ಕ್ರಿಟಿಕಲ್ ಫೇಸ್ ಮ್ಯಾಚಿಂಗ್ (NCPM) ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆ.AgGaSe2 (AgGaSe) ಅತಿಗೆಂಪು CO2 ಲೇಸರ್ ವಿಕಿರಣಕ್ಕೆ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಆವರ್ತನ ದ್ವಿಗುಣಗೊಳಿಸುವ ಸ್ಫಟಿಕ ಎಂದು ನಿರೂಪಿಸಲಾಗಿದೆ.
ಫೆಮ್ಟೋಸೆಕೆಂಡ್ ಮತ್ತು ಪಿಕೋಸೆಕೆಂಡ್ ಆಡಳಿತದಲ್ಲಿ ವಾಣಿಜ್ಯಿಕವಾಗಿ ಲಭ್ಯವಿರುವ ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್-ಪಂಪ್ಡ್ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಪ್ಯಾರಾಮೆಟ್ರಿಕ್ ಆಸಿಲೇಟರ್‌ಗಳ (SPOPOs) ಸಂಯೋಜನೆಯಲ್ಲಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ, AgGaSe2 ಸ್ಫಟಿಕಗಳು ಮಧ್ಯ-IR ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಪ್ಯಾರಾಮೆಟ್ರಿಕ್ ಡೌನ್‌ಕನ್ವರ್ಶನ್‌ನಲ್ಲಿ (ವ್ಯತ್ಯಾಸ ಆವರ್ತನ ಉತ್ಪಾದನೆ, DGF) ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಎಂದು ತೋರಿಸಿದೆ.ಮಧ್ಯ-IR ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ AgGaSe2 ಸ್ಫಟಿಕವು ವಾಣಿಜ್ಯಿಕವಾಗಿ ಪ್ರವೇಶಿಸಬಹುದಾದ ಸ್ಫಟಿಕಗಳಲ್ಲಿ ಅರ್ಹತೆಯ (70 pm2/V2) ಶ್ರೇಷ್ಠ ಅಂಕಿಅಂಶಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಇದು AGS ಸಮಾನಕ್ಕಿಂತ ಆರು ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚು.ಹಲವಾರು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಕಾರಣಗಳಿಗಾಗಿ ಇತರ ಮಧ್ಯ-IR ಸ್ಫಟಿಕಗಳಿಗೆ AgGaSe2 ಸಹ ಯೋಗ್ಯವಾಗಿದೆ.ಉದಾಹರಣೆಗೆ, AgGaSe2 ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ವಾಕ್-ಆಫ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗೆ ಚಿಕಿತ್ಸೆ ನೀಡಲು ಕಡಿಮೆ ಸುಲಭವಾಗಿ ಲಭ್ಯವಿದೆ (ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಬೆಳವಣಿಗೆ ಮತ್ತು ಕಟ್ ದಿಕ್ಕು, ಉದಾಹರಣೆಗೆ), ದೊಡ್ಡ ರೇಖಾತ್ಮಕತೆ ಮತ್ತು ಸಮಾನವಾದ ಪಾರದರ್ಶಕತೆ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.
ಅರ್ಜಿಗಳನ್ನು
● CO ಮತ್ತು CO2 - ಲೇಸರ್‌ಗಳ ಮೇಲಿನ ಪೀಳಿಗೆಯ ಎರಡನೇ ಹಾರ್ಮೋನಿಕ್ಸ್
● ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಪ್ಯಾರಾಮೆಟ್ರಿಕ್ ಆಂದೋಲಕ
● 17 mkm ವರೆಗಿನ ಮಧ್ಯಮ ಅತಿಗೆಂಪು ಪ್ರದೇಶಗಳಿಗೆ ವಿಭಿನ್ನ ಆವರ್ತನ ಜನರೇಟರ್.
● ಮಧ್ಯಮ IR ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಆವರ್ತನ ಮಿಶ್ರಣ
ಮೂಲ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
| ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ರಚನೆ | ಚತುರ್ಭುಜ |
| ಸೆಲ್ ನಿಯತಾಂಕಗಳು | a=5.992 Å, c=10.886 Å |
| ಕರಗುವ ಬಿಂದು | 851 °C |
| ಸಾಂದ್ರತೆ | 5.700 ಗ್ರಾಂ/ಸೆಂ3 |
| ಮೊಹ್ಸ್ ಗಡಸುತನ | 3-3.5 |
| ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಗುಣಾಂಕ | <0.05 cm-1 @ 1.064 µm <0.02 cm-1 @ 10.6 µm |
| ರಿಲೇಟಿವ್ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಸ್ಥಿರ @ 25 MHz | ε11s=10.5 ε11t=12.0 |
| ಉಷ್ಣತೆಯ ಹಿಗ್ಗುವಿಕೆ ಗುಣಾಂಕ | ||C: -8.1 x 10-6 /°C ⊥C: +19.8 x 10-6 /°C |
| ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ | 1.0 W/M/°C |
