fot_bg01

ಉತ್ಪನ್ನಗಳು

ZnGeP2 — ಸ್ಯಾಚುರೇಟೆಡ್ ಇನ್ಫ್ರಾರೆಡ್ ನಾನ್ ಲೀನಿಯರ್ ಆಪ್ಟಿಕ್ಸ್

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

ದೊಡ್ಡ ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಗುಣಾಂಕಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಕಾರಣ (d36=75pm/V), ವಿಶಾಲ ಅತಿಗೆಂಪು ಪಾರದರ್ಶಕತೆ ಶ್ರೇಣಿ (0.75-12μm), ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ (0.35W/(cm·K)), ಹೆಚ್ಚಿನ ಲೇಸರ್ ಹಾನಿ ಮಿತಿ (2-5J/cm2) ಮತ್ತು ಚೆನ್ನಾಗಿ ಯಂತ್ರೋಪಕರಣದ ಆಸ್ತಿ, ZnGeP2 ಅನ್ನು ಅತಿಗೆಂಪು ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ದೃಗ್ವಿಜ್ಞಾನದ ರಾಜ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತಿತ್ತು ಮತ್ತು ಇದು ಇನ್ನೂ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ, ಟ್ಯೂನ್ ಮಾಡಬಹುದಾದ ಅತಿಗೆಂಪು ಲೇಸರ್ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಉತ್ತಮ ಆವರ್ತನ ಪರಿವರ್ತನೆ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ.


ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

ಉತ್ಪನ್ನ ವಿವರಣೆ

ಈ ವಿಶಿಷ್ಟ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಿಂದಾಗಿ, ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗೆ ಇದು ಅತ್ಯಂತ ಭರವಸೆಯ ವಸ್ತುಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದಾಗಿದೆ.ZnGeP2 ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಪ್ಯಾರಾಮೆಟ್ರಿಕ್ ಆಸಿಲೇಷನ್ (OPO) ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಮೂಲಕ 3-5 μm ನಿರಂತರ ಟ್ಯೂನಬಲ್ ಲೇಸರ್ ಅನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ.3-5 μm ನ ವಾಯುಮಂಡಲದ ಪ್ರಸರಣ ವಿಂಡೋದಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುವ ಲೇಸರ್‌ಗಳು ಅತಿಗೆಂಪು ಕೌಂಟರ್ ಅಳತೆ, ರಾಸಾಯನಿಕ ಮೇಲ್ವಿಚಾರಣೆ, ವೈದ್ಯಕೀಯ ಉಪಕರಣ ಮತ್ತು ರಿಮೋಟ್ ಸೆನ್ಸಿಂಗ್‌ನಂತಹ ಅನೇಕ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಾಮುಖ್ಯತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ.

ನಾವು ಹೆಚ್ಚಿನ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಗುಣಮಟ್ಟದ ZnGeP2 ಅನ್ನು ಅತ್ಯಂತ ಕಡಿಮೆ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಗುಣಾಂಕದೊಂದಿಗೆ ನೀಡಬಹುದು α <0.05 cm-1 (ಪಂಪ್ ತರಂಗಾಂತರಗಳಲ್ಲಿ 2.0-2.1 µm), ಇದನ್ನು OPO ಅಥವಾ OPA ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳ ಮೂಲಕ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯೊಂದಿಗೆ ಮಧ್ಯ-ಅತಿಗೆಂಪು ಟ್ಯೂನಬಲ್ ಲೇಸರ್ ಅನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಬಳಸಬಹುದು.

ನಮ್ಮ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ

ಡೈನಾಮಿಕ್ ಟೆಂಪರೇಚರ್ ಫೀಲ್ಡ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜಿಯನ್ನು ರಚಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ZnGeP2 ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಅನ್ನು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಲು ಅನ್ವಯಿಸಲಾಗಿದೆ.ಈ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಮೂಲಕ, ಬೃಹತ್ ಧಾನ್ಯಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ 500 ಗ್ರಾಂ ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ZnGeP2 ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಅನ್ನು ಒಂದೇ ಓಟದಲ್ಲಿ ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಲಾಗಿದೆ.
ಡೈರೆಕ್ಷನಲ್ ನೆಕಿಂಗ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿತವಾದ ಅಡ್ಡ ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಫ್ರೀಜ್ ವಿಧಾನವನ್ನು (ಇದು ಡಿಸ್ಲೊಕೇಶನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ) ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ZnGeP2 ನ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಯಶಸ್ವಿಯಾಗಿ ಅನ್ವಯಿಸಲಾಗಿದೆ.
ವಿಶ್ವದ ಅತಿ ದೊಡ್ಡ ವ್ಯಾಸದ (Φ55 ಮಿಮೀ) ಕಿಲೋಗ್ರಾಂ ಮಟ್ಟದ ಉನ್ನತ ಗುಣಮಟ್ಟದ ZnGeP2 ಅನ್ನು ವರ್ಟಿಕಲ್ ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಫ್ರೀಜ್ ವಿಧಾನದಿಂದ ಯಶಸ್ವಿಯಾಗಿ ಬೆಳೆಸಲಾಗಿದೆ.
ಸ್ಫಟಿಕ ಸಾಧನಗಳ ಮೇಲ್ಮೈ ಒರಟುತನ ಮತ್ತು ಚಪ್ಪಟೆತನ, ಕ್ರಮವಾಗಿ 5Å ಮತ್ತು 1/8λ ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ, ನಮ್ಮ ಟ್ರ್ಯಾಪ್ ಫೈನ್ ಮೇಲ್ಮೈ ಚಿಕಿತ್ಸಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದಿಂದ ಪಡೆಯಲಾಗಿದೆ.
ನಿಖರವಾದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನ ಮತ್ತು ನಿಖರವಾದ ಕತ್ತರಿಸುವ ತಂತ್ರಗಳ ಅನ್ವಯದ ಕಾರಣದಿಂದಾಗಿ ಸ್ಫಟಿಕ ಸಾಧನಗಳ ಅಂತಿಮ ಕೋನ ವಿಚಲನವು 0.1 ಡಿಗ್ರಿಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಿರುತ್ತದೆ.
ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಮತ್ತು ಉನ್ನತ ಮಟ್ಟದ ಸ್ಫಟಿಕ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಕಾರಣದಿಂದಾಗಿ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಸಾಧಿಸಲಾಗಿದೆ (3-5μm ಮಧ್ಯ-ಇನ್‌ಫ್ರಾರೆಡ್ ಟ್ಯೂನಬಲ್ ಲೇಸರ್ ಅನ್ನು 2μm ಬೆಳಕಿನಿಂದ ಪಂಪ್ ಮಾಡಿದಾಗ 56% ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪರಿವರ್ತನೆ ದಕ್ಷತೆಯೊಂದಿಗೆ ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗಿದೆ. ಮೂಲ).
ನಮ್ಮ ಸಂಶೋಧನಾ ಗುಂಪು, ನಿರಂತರ ಪರಿಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ತಾಂತ್ರಿಕ ಆವಿಷ್ಕಾರದ ಮೂಲಕ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ZnGeP2 ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್‌ನ ಸಂಶ್ಲೇಷಣೆ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ, ದೊಡ್ಡ ಗಾತ್ರದ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ZnGeP2 ಮತ್ತು ಸ್ಫಟಿಕ ದೃಷ್ಟಿಕೋನ ಮತ್ತು ಉನ್ನತ-ನಿಖರವಾದ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಯಶಸ್ವಿಯಾಗಿ ಮಾಸ್ಟರಿಂಗ್ ಮಾಡಿದೆ;ಹೆಚ್ಚಿನ ಏಕರೂಪತೆ, ಕಡಿಮೆ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಗುಣಾಂಕ, ಉತ್ತಮ ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಪರಿವರ್ತನೆ ದಕ್ಷತೆಯೊಂದಿಗೆ ಮಾಸ್ ಸ್ಕೇಲ್‌ನಲ್ಲಿ ZnGeP2 ಸಾಧನಗಳು ಮತ್ತು ಮೂಲವಾಗಿ ಬೆಳೆದ ಹರಳುಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸಬಹುದು.ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ನಾವು ಸ್ಫಟಿಕ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಪರೀಕ್ಷಾ ವೇದಿಕೆಯ ಸಂಪೂರ್ಣ ಸೆಟ್ ಅನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸಿದ್ದೇವೆ ಅದು ಗ್ರಾಹಕರಿಗೆ ಸ್ಫಟಿಕ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಪರೀಕ್ಷಾ ಸೇವೆಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.

ಅರ್ಜಿಗಳನ್ನು

● CO2-ಲೇಸರ್‌ನ ಎರಡನೇ, ಮೂರನೇ ಮತ್ತು ನಾಲ್ಕನೇ ಹಾರ್ಮೋನಿಕ್ ಪೀಳಿಗೆ
● 2.0 µm ತರಂಗಾಂತರದಲ್ಲಿ ಪಂಪ್ ಮಾಡುವ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಪ್ಯಾರಾಮೆಟ್ರಿಕ್ ಉತ್ಪಾದನೆ
● CO-ಲೇಸರ್‌ನ ಎರಡನೇ ಹಾರ್ಮೋನಿಕ್ ಪೀಳಿಗೆ
● 70.0 µm ನಿಂದ 1000 µm ವರೆಗಿನ ಸಬ್ಮಿಲಿಮೀಟರ್ ಶ್ರೇಣಿಯಲ್ಲಿ ಸುಸಂಬದ್ಧ ವಿಕಿರಣವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುವುದು
● CO2- ಮತ್ತು CO-ಲೇಸರ್ ವಿಕಿರಣಗಳ ಸಂಯೋಜಿತ ಆವರ್ತನಗಳ ಉತ್ಪಾದನೆ ಮತ್ತು ಇತರ ಲೇಸರ್‌ಗಳು ಸ್ಫಟಿಕ ಪಾರದರ್ಶಕತೆ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತಿವೆ.

ಮೂಲ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ರಾಸಾಯನಿಕ ZnGeP2
ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಸಿಮೆಟ್ರಿ ಮತ್ತು ವರ್ಗ ಚತುರ್ಭುಜ, -42ಮೀ
ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ನಿಯತಾಂಕಗಳು a = 5.467 Å
c = 12.736 Å
ಸಾಂದ್ರತೆ 4.162 ಗ್ರಾಂ/ಸೆಂ3
ಮೊಹ್ಸ್ ಗಡಸುತನ 5.5
ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ವರ್ಗ ಧನಾತ್ಮಕ ಏಕಾಕ್ಷೀಯ
ಉಪಯುಕ್ತ ಪ್ರಸರಣ ಶ್ರೇಣಿ 2.0 um - 10.0 um
ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ
@ ಟಿ= 293 ಕೆ
35 W/m∙K (⊥c)
36 W/m∙K (∥ c)
ಉಷ್ಣತೆಯ ಹಿಗ್ಗುವಿಕೆ
@ ಟಿ = 293 ಕೆ ನಿಂದ 573 ಕೆ
17.5 x 106 K-1 (⊥c)
15.9 x 106 K-1 (∥ c)

ತಾಂತ್ರಿಕ ನಿಯತಾಂಕಗಳು

ವ್ಯಾಸದ ಸಹಿಷ್ಣುತೆ +0/-0.1 ಮಿಮೀ
ಉದ್ದ ಸಹಿಷ್ಣುತೆ ± 0.1 ಮಿಮೀ
ದೃಷ್ಟಿಕೋನ ಸಹಿಷ್ಣುತೆ <30 ಆರ್ಕ್ಮಿನ್
ಮೇಲ್ಮೈ ಗುಣಮಟ್ಟ 20-10 SD
ಚಪ್ಪಟೆತನ <λ/4@632.8 nm
ಸಮಾನಾಂತರತೆ <30 ಆರ್ಕ್ಸೆಕ್
ಲಂಬವಾಗಿರುವಿಕೆ <5 ಆರ್ಕ್ಮಿನ್
ಚೇಂಫರ್ <0.1 mm x 45°
ಪಾರದರ್ಶಕತೆ ವ್ಯಾಪ್ತಿ 0.75 - 12.0 ?ಮೀ
ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಗುಣಾಂಕಗಳು d36 = 68.9 pm/V (10.6μm ನಲ್ಲಿ)
d36 = 75.0 pm/V (9.6 μm ನಲ್ಲಿ)
ಹಾನಿ ಮಿತಿ 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm
1
2

  • ಹಿಂದಿನ:
  • ಮುಂದೆ:

  • ನಿಮ್ಮ ಸಂದೇಶವನ್ನು ಇಲ್ಲಿ ಬರೆಯಿರಿ ಮತ್ತು ಅದನ್ನು ನಮಗೆ ಕಳುಹಿಸಿ